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天赐材料对全资子公司九江天赐增资1.48亿元
12月13日晚,天赐材料发布公告称,公司董事会同意公司以债权转股权及货币出资的方式对全资子公司九江天赐进行增资人民币14,800万元,其中债权转股权的增资金额为人民币7,600万元,货币出资的增资金额为人民币7,200万元,全部增资计入九江...
2020-05-13
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5G战场必争 第三代半导体材料GaN全球技术分析报告
氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,属于第三代半导体,具备良好的导热率、抗辐射能力、击穿电场和电子饱和速率。其在微波射频领域的应用器件主要包括GaN高电子迁移率晶体管(HETM)和GaN单片微波集成电路(MMIC),均可用于通讯基站。 ...
2020-05-12