碳化硅

碳化硅（SiC）是第三代半导体代表，禁带宽度达 3.26 eV，耐压与导热优于硅，是 800V 新能源汽车、光伏逆变与充电桩的首选功率器件材料。6 英寸向 8 英寸衬底演进，2026 年车规级 SiC 模块渗透率快速提升，衬底良率与成本是竞争关键。

• Soitec与应用材料公司启动联合研发项目，开发新一代碳化硅衬底

  作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目，展开对新一代碳化硅衬底的研发。以碳化硅为衬底的芯片需求持续上涨，该趋势在电动汽车、通信及工业应用三大市场中尤为显著。然而，碳化硅的大规模...

  2020-05-14

• 泰科天润六英寸碳化硅（SiC）项目落户江西九江

  据麦姆斯咨询报道，在江西九江市委、市政府主要领导的高位推动下，3月29日，由泰科天润半导体科技（北京）有限公司投资建设的6寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。该项目的落户是经开区大力发展战略新兴产业取得的重大新成果，...

  2020-05-13

• Cree计划投资10亿美元 打造碳化硅“超级工厂”

  据外媒报道，Cree计划投入10亿美元，旨在扩张其碳化硅产能，在北卡罗来纳州达勒姆（Durham, N.C.）建立最新款200mm碳化硅自动装配设施及超级材料制造工厂。 这是该公司迄今为止的最大一笔投资，旨在推动Wolfspeed碳化硅以及...

  2020-05-13