碳化硅（SiC）：第三代半导体功率之王

一、什么是碳化硅

碳化硅是第三代半导体宽禁带材料，禁带宽度约 3.26 eV，相比硅具有更优异的耐压与耐温能力，是功率器件的理想基底。

二、关键特性

高击穿电场、高导热系数、耐高温与耐辐射、高频高效，可在更高电压与温度下稳定工作，显著降低开关损耗。

三、制备与工艺

以物理气相传输（PVT）法长晶获得晶锭，再经切割、研磨与外延（CVD）制备器件级衬底与外延片。

四、典型应用

电动车主驱与车载充电机、光伏与储能逆变器、充电桩、5G 射频与航天功率模块是其核心应用场景。

五、产业现状与趋势

8 英寸衬底加速扩产、成本持续下降，电动车与新能源是主要驱动，全球产能与渗透率快速提升。