氮化镓（GaN）：快充与射频的宽禁带选手

一、什么是氮化镓

氮化镓是禁带宽度约 3.4 eV 的宽禁带半导体，凭借高电子迁移率与高击穿电压，成为高频高功率器件的优选材料。

二、关键特性

高频开关速度快、导通损耗低、耐压高、散热好，可在更小体积下实现更高效率的功率转换。

三、制备与工艺

以氢化物气相外延（HVPE）或氨热法长晶，再经异质外延（如 GaN-on-Si）制备器件结构，硅基 GaN 有助于降本。

四、典型应用

手机/笔记本快充、5G 与卫星射频功放、数据中心电源、车规功率模块是其增长最快的赛道。

五、产业现状与趋势

消费快充已大规模普及，射频与车规功率渗透持续提升，8 英寸硅基 GaN 外延推动成本下降。